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IGBT发展历史

     IGBT发展历史点击：156 次  发布时间:2015-6-18 16:09:42  1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的前驱即已被介绍到人世。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层构成），直流电源，其特点是通过强碱湿法刻蚀技术构成了V形槽栅。80年代前期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散构成的金属-氧化物-半导体）技术被选用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型计划。后来，通过选用PT（穿通）型结构的办法得到了在参数折衷方面的一个明显改善，厂家生产直销系列直流电源，这是跟着硅片上外延的技术前进，以及选用对应给定阻断电压所计划的n+缓冲层而展开的[3]。几年傍边，这种在选用PT计划的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其计划规则从5微米抢先到3微米。90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是选用从大规模集成（LSI）技术学习来的硅干法刻蚀技术完结的新刻蚀技术，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，完结了在通态电压和关断时间之间折衷的更主要的改善。

高频开关直流电源

      高频开关直流电源采用了全桥移相式脉宽调制软开关控制技术，使得模块效率进一步提高，谐波减小。高频开关直流电源模块采用三相三线380VAC平衡输入，无相序要求，无中线电流损耗，在线服务解答，在交流输入端，采用先进的尖峰抑制器件及EMI滤波电路。高频开关直流电源由全桥整流电路将三相交流电整流为直流，经无源功率因数校正(PFC)后，再由DC/DC高频变换电路把所得的直流电逆变成稳定可控的直流电输出。高频开关直流电源脉宽调制电路(PWM)及软开关谐振回路根据电网和负载的变化，自动调节高频开关的脉冲宽度和移相角，使输出电压电流在任何允许的情况下都能保持稳定。电力高频开关电源既可单机工作完成各种基本功能，又可并联组合工作，并具有良好的并机均流效果。高频开关直流电源通过与微机连接，可实现'遥测、遥信、遥控、遥调'四遥功能。高频开关直流电源具备完善的保护功能，保证模块或模块组独立运行和微机监控下系统的安全、稳定。高频开关直流电源模块采用总线采样主、从均流控制方式。在并机运行时，高频开关直流电源模块组中能自动选出一台主模块，将分流器采集到的电流、电压等外部参数进行处理，集中控制每一台模块的输出电压、电流。从而，即使在小电流时，也能得到较好的均流效果。

关于IGBT的介绍

 相信做电源行业的前辈们对于电源里面的IGBT模块并不会感到陌生，但是对于刚入电源行业的新手们，估计还是不大了解，所以呢，定制直流电源，下面我就要为大家介绍一下IGBT：

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器材，其输入较为MOSFET，输出较为PNP晶体管，它交融了这两种器材的长处，既具有MOSFET器材驱动功率小和开关速度快的长处，又具有双较型器材饱和压下降而容量大的长处，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常作业于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的使用，在较高频率的大、中功率使用中占有了主导地位。

     若在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状况而使得晶体管导通；若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V，则MOS 截止，堵截PNP晶体管基较电流的供应，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET相同也是电压操控型器材，在它的栅较—发射较间施加十几V的直流电压，只要在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。