精密电子仪器测试直流电源、直流电源、万瑞达电气 查看

深入了解开关电源的兼容性

　一、在开关电源中存在输入滤波电感、功率变压器、阻隔变压器、输出滤波电感等磁性元件，阻隔变压器初次级之间存在寄生电容，高频搅扰信号经过寄生电容耦合到次边；功率变压器因为绕制技术等缘由，原次边耦合不抱负而存在漏感，漏电感将发生电磁辐射搅扰，别的功率变压器线圈绕组流过高频脉冲电流，在周围构成高频 电磁场；电感线圈中流过脉动电流会发生电磁场辐射，并且在负载突切时，会构成电压尖峰，一起当它作业在饱和状况时，将会发生电流骤变，这些都会导致电磁干 扰；

　　1．操控电路中周期性的高频脉冲信号如振荡器发生的高频脉冲信号等将发生高频高次谐波，对周围电路发生电磁搅扰。

　　2．此外电路中还会有地环路搅扰、公共阻抗耦合搅扰，以及操控电源噪声搅扰等。

　   3 ．开关电源中的布线规划非常主要，不合理布线将使电磁搅扰经过线线之间的耦合电容和散布互感串扰或辐射到邻近导线上，然后影响其它电路的正常作业。

　  4．热辐射发生的电磁搅扰，热辐射是以电磁波的方式进行热交换，这种电磁搅扰影响其它电子元器件或电路的正常安稳作业。

　　二、外界的电磁搅扰

　　关于某一电子设备，外界对其发生影响的电磁搅扰包含：电网中的谐波搅扰、雷电、太阳噪声、静电放电，以及周围的高频发射设备导致的搅扰。

　　三、电磁搅扰的结果

　　电磁搅扰将形成传输信号畸变，大功率直流电源，影响设备的正常作业。关于雷电、静电放电等高能量的电磁搅扰，严峻时会损坏设备。而关于某些设备，电磁辐射会导致主要信息的走漏。

　　四、开关电源的电磁兼容规划

　　了解了开关电源内部及外部电磁搅扰源后，水处理直流电源，咱们还应知道，构成电磁搅扰机理的三要素是还有传达路径和受扰设备。因而开关电源的电磁兼容规划主要从以下三个方面下手：

　　1、减小搅扰源的电磁搅扰能量；

　　2、堵截搅扰传达路径；

　　3、进步受扰设备的抗搅扰才能。

　　准确了解和掌握开关电源的电磁搅扰源及其发生机理和搅扰传达路径，关于采纳何种抗搅扰办法以使设备满意电磁兼容请求非常主要。因为搅扰源有开关电源内部发生的搅扰源和外部的搅扰源，并且可以说搅扰源无法消除，受扰设备也老是存在，因而可以说电磁兼容疑问老是存在。

全桥式变压器开关电源的设计

懂电源的朋友对全桥式变压器开关电源并不陌生，它的工作原理与推挽式变压器开关电源以及半桥式变压器开关电源的工作原理是很相似的，本文小编整理了全桥式变压器开关电源的工作原理及计算方法与大家分享。

　　全桥式开关电源变压器参数的计算 　　

全桥式变压器开关电源的工作原理与推挽式变压器开关电源的工作原理是非常接近的，只是变压器的激励方式与工作电源的接入方式有点不同;因此，用于计算推挽式变压器开关电源变压器初级线圈N1绕组匝数的数学表达式，同样可以用于全桥式变压器开关电源变压器初级线圈N1绕组匝数的计算。 　　　

式中，直流电源，N1为变压器初级线圈N1绕组的较少匝数，S为变压器铁心的导磁面积(单位：平方厘米)，Bm为变压器铁心的较大磁感应强度(单位：高斯);Ui为开关电源的工作电压，即加到变压器初级线圈N1绕组两端的电压，单位为伏;τ=Ton，为控制开关的接通时间，简称脉冲宽度，精密电子仪器测试直流电源，或电源开关管导通时间的宽度(单位：秒);F为工作频率，单位为赫芝，一般双激式开关电源变压器工作于正、反激输出的情况下，其伏秒容量必须相等，因此，可以直接用工作频率来计算变压器初级线圈N1绕组的匝数;F和τ取值要预留20%左右的余量。式中的指数是统一单位用的，选用不同单位，指数的值也不一样，这里选用CGS单位制，即：长度为厘米(cm)，磁感应强度为高斯(Gs)，磁通单位为麦克斯韦(Mx)。

IGBT结构

    IGBT构造图左面所示为一个N沟道增强型绝缘栅较晶体管构造， N+区称为源区，附于其上的电极称为源较（即发射较E）。P+区称为漏区。器材的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅较（即门较G）。沟道在紧靠栅区间隔构成。在C、E南北极之间的P型区（包含P+和P-区）（沟道在该区域构成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏写入区（Drain injector），它是IGBT特有的功用区，与漏区和亚沟道区一同构成PNP双较晶体管，起发射较的效果，向漏较写入空穴，进行导电调制，以下降器材的通态电压。附于漏写入区上的电极称为漏较（即集电极C）。IGBT的开关效果是经过加正向栅较电压构成沟道，给PNP(正本为NPN)晶体管供应基较电流，使IGBT导通。反之，加反向门较电压消除沟道，堵截基较电流，使IGBT关断。IGBT的驱动办法和MOSFET根柢相同，只需控制输入较N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道构成后，从P+基较写入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压