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      硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是选用非穿通（NPT）结构，继而改动成弱穿通（LPT）结构，这就使安全作业区（SOA）得到同表面栅结构演化类似的改善。这次从穿通（PT）型技术抢先到非穿通（NPT）型技术，是较基本的，也是很严重的概念改动。这便是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子写入系数，而由于它需要对少量载流子寿数进行操控致使其输运功率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是根据不对少子寿数进行杀伤而有较好的输运功率，不过其载流子写入系数却比较低。进而言之，稳压电源 山东，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“本钱—功用”的概括作用得到进一步改善。1996年，CSTBT（载流子贮存的沟槽栅双较晶体管）使*5代IGBT模块得以完结[6]，它选用了弱穿通（LPT）芯片结构，又选用了更抢先的宽元胞间隔的计划。当时，包含一种“反向阻断型”（逆阻型）功用或一种“反导游通型”（逆导型）功用的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。IGBT功率模块选用IC驱动，各种驱动维护电路，高功用IGBT芯片，新式封装技术，从复合功率模块PIM展开到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流展开，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射设备。IPEM选用共烧瓷片多芯片模块技术拼装PEBB，大大降低电路接线电感，前进系统功率，现已开发成功*二代IPEM，其间一切的无源元件以埋层办法掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT展开**。现在，大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成以外，现在已制造出集成化的IGBT**驱动电路.其功用非常好，整机的可靠性更高及体积更小。

通信直流电源是一个复杂的系统，电力通信直流电源均采用-48V的高频开关直流电源，电力通信直流电源由交流部分、整流器、直流分配部分、蓄电池组和监控模块等按照要求组合而成。

交流部分--交流部分的市电输入一般为2路380V三相四线交流输入，在电源容量较小时有时也使用2路220V单相交流输入，以保证电源可靠供电。为防止雷击和过电压破坏，在市电输入端应加装避雷器，常用的有普通氧化锌避雷器和OBO防雷模块等;由于此处的防雷主要是对非直击的感应雷击的浪涌电压的防护，因此避雷器的通流量一般选择在15-20KA，残压在1.5KV左右，就可有效的保护电源设备。

整流器部分--整流器是通信直流电源的较重要的组成部分，通信直流电源的供电质量主要取决于整流器的电气指标，它完成AC-DC变换并以并联均流方式为通信设备供电，同时对蓄电池组进行恒流限压充电和监控模块的供电。

直流分配部分--直流分配部分将整流器输出的直流电压进行分配，一路给蓄电池组充电，其它分配给通信设备和其它直流用户供电。

      随着直流电源效率和环保的日益重要，人们对开关电源待机效率期望越来越高，客户要求电源制造商提供的电源产品能满足BLUEANGEL，ENERGYSTAR，ENERGY2000等绿色能源标准，而欧盟对开关电源的要求是：到2005年，额定功率为0.3W~15W，15W~50W和50W~75W的开关电源，待机功耗需分别小于0.3W，0.5W和0.75W。

   目前大多数高压开关直流电源由额定负载转入轻载和待机状态时，电源效率急剧下降，待机效率不能满足要求。这就给电源设计工程师们提出了新的挑战。开关电源功耗分析

   要减小可调开关电源待机损耗，提高待机效率，首先要分析开关电源损耗的构成。以反激式电源为例，稳压电源报价（价格），其工作损耗主要表现为：MOSFET导通损耗MOSFET导通损耗

   在待机状态，主电路电流较小，MOSFET导通时间ton很小，电路工作在DCM模式，故相关的导通损耗，次级整流管损耗等较小，此时损耗主要由寄生电容损耗和开关交叠损耗和启动电阻损耗构成。

   开关交叠损耗，PWM控制器及其启动电阻损耗，输出整流管损耗，箝位保护电路损耗，反馈电路损耗等。其中**个损耗与频率成正比关系，稳压电源，即与单位时间内器件开关次数成正比。

提高大功率开关电源待机效率的方法

   根据损耗分析可知，切断启动电阻，降低开关频率，减小开关次数可减小待机损耗，提高待机效率。具体的方法有：降低时钟频率;由高频工作模式切换至低频工作模式，如准谐振模式(QuasiResonant，QR)切换至脉宽调制(Pul*idthModulation，PWM)，脉宽调制切换至脉冲频率调制(PulseFrequencyModulation，PFM);可控脉冲模式(BurstMode)。

切断启动电阻

   对于反激式直流稳压电源，启动后控制芯片由辅助绕组供电，启动电阻上压降为300V左右。设启动电阻取值为47kΩ，苏州直流稳压电源，消耗功率将近2W。要改善待机效率，必须在启动后将该电阻通道切断。TOPSWITCH，ICE2DS02G内部设有专门的启动电路，可在启动后关闭该电阻。若控制器没有专门启动电路，也可在启动电阻串接电容，其启动后的损耗可逐渐下降至零。缺点是电源不能自重启，只有断开输入电压，使电容放电后才能再次启动电路。