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高频开关直流电源

      高频开关直流电源采用了全桥移相式脉宽调制软开关控制技术，使得模块效率进一步提高，谐波减小。高频开关直流电源模块采用三相三线380VAC平衡输入，无相序要求，无中线电流损耗，在交流输入端，采用先进的尖峰抑制器件及EMI滤波电路。高频开关直流电源由全桥整流电路将三相交流电整流为直流，经无源功率因数校正(PFC)后，再由DC/DC高频变换电路把所得的直流电逆变成稳定可控的直流电输出。高频开关直流电源脉宽调制电路(PWM)及软开关谐振回路根据电网和负载的变化，开关直流稳压电源，自动调节高频开关的脉冲宽度和移相角，使输出电压电流在任何允许的情况下都能保持稳定。电力高频开关电源既可单机工作完成各种基本功能，又可并联组合工作，大功率稳压电源，并具有良好的并机均流效果。高频开关直流电源通过与微机连接，可实现'遥测、遥信、遥控、遥调'四遥功能。高频开关直流电源具备完善的保护功能，保证模块或模块组独立运行和微机监控下系统的安全、稳定。高频开关直流电源模块采用总线采样主、从均流控制方式。在并机运行时，高频开关直流电源模块组中能自动选出一台主模块，将分流器采集到的电流、电压等外部参数进行处理，集中控制每一台模块的输出电压、电流。从而，即使在小电流时，也能得到较好的均流效果。

如何有效抑制开关电源适配器输出电压噪声？

开关电源适配器在工作的过程中，很容易因为电磁兼容性差或抗干扰性能较低而受到周围电磁环境的影响，并在运行中出现输出电压噪声的情况，这会造成适配器工作性能不稳定等问题。为了有效抑制输出电压噪声，工程师应该采取怎样的措施才能在较短时间内进行噪声电压衰减处理呢？本文将通过两种方法的介绍，帮助工程师快速掌握输出电压噪声的抑制方法。

首先我们可以从输出端的高频特性方面入手，提升并完善适配器的高频特性，从而在根本上对输出电压噪声实现压制作用。工程师可以选择在开关电源适配器输出端采用片式三端电容器与普通电解电容器组合，稳压电源，以此来改善滤波的高频特性。往往开关电源适配器的输出端含有较大的噪声电压的峰值的情况，都是由于电解电容器在高频下的特性不完善所造成的。

在提升了输出端高频特性的基础上，工程师可以选择将输出端的电解电容一拆为几，即将一个大容量的电解电容采用几个小容量电解电容并联来替代。这一建议虽不能根本抑制噪声电压的产生，但用新办法所产生的信噪声电压的峰-峰值要比原来为小。另外，工程师也可以选择在电解电容旁边并联一个小容量的高频陶瓷电容器，利用高频电容在高频下所体现的低容抗，使输出噪声电压得到较大衰减。

接下来我们来看*二种抑制输出电压噪声的方法，那就是工程师可以选择采用高性能的表面贴装滤波器来进行噪声抑制。贴装滤波器内部电路可以等效为一个π型滤波线路，在开关电源适配器的输出端串上一个贴装高性能滤波器。在安装完成后工程师可以利用示波器进行峰值测试，通常情况下此时的峰值在示波器上几乎可以显示为一条直线，其输出电压的噪声已明显得到抑制，这也同时可以证明贴装滤波器对于输出电压噪声的处理时非常有效的

关于IGBT的介绍

 相信做电源行业的前辈们对于电源里面的IGBT模块并不会感到陌生，但是对于刚入电源行业的新手们，估计还是不大了解，所以呢，下面我就要为大家介绍一下IGBT：

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器材，其输入较为MOSFET，输出较为PNP晶体管，它交融了这两种器材的长处，既具有MOSFET器材驱动功率小和开关速度快的长处，又具有双较型器材饱和压下降而容量大的长处，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常作业于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的使用，在较高频率的大、中功率使用中占有了主导地位。

     若在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，数字高频稳压电源，这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状况而使得晶体管导通；若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V，则MOS 截止，堵截PNP晶体管基较电流的供应，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET相同也是电压操控型器材，在它的栅较—发射较间施加十几V的直流电压，只要在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。