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直流稳压电源的设计

三相整流变压器的设计包括：

一、二次绕组的联结方式，二次侧电压的计算，一、二次侧电流的计算，容量的计算与确定，结构形式的选择等环节。其中一、二次绕组的联结方式及二次侧电压的确定是我们重点分析的内容.

1、二次侧电压的确定

二次电压不仅与负载电压(即要设计的直流稳压电源电压)和整流电路有关，而且与稳压器件有关。对于要求高的选桥式整流电路，用电容滤波稳压和稳压器稳压，对于要求低的则可以不稳压或用电容稳压。如在图1中，+7V低压驱动，主要是用来锁相，其电流小、电压低，电压波动对驱动电源的工作状态影响不大，不用稳压;+110V用以高压驱动，断续式供电且频率很高，大的电流和电流变化率会产生很高过电压，因此要用电解电容稳压，电阻限流;+12V用于计算机和集成电路的电源，电流小、电压低，但要求电压稳定、纹波系数小，因此用电容和三端稳压器两级稳压。对于不同的稳压手段，二次电压有着不同的确定方法，理论上这3个电压的计算式相同，即U2=Ud/2.34　或UL=Ud/1.35，计算的3个二次电压分别为：5.2V、81.5V和8.9V，但这样计算的结果在实际中不和适，因此，直流稳压电源，有些量必须用工程估算式来确定，如三相不可逆整流系统一般用公式UL=(0.9～1.0)·Ud估算，如果直流侧用电解电容滤波时、输出平均值会升高，一般用公式UL=Ud/2?估算;如果直流侧用电容和三端稳压器稳压，为了扩大稳压范围，Ud一般应升高3～6V，再用公式UL=(0.9～1.0)·Ud估算。这样确定的3个二次电压分别为：UL7=0.9×7=6.3V，UL110=110/2?=78V，UL12=16×0.9=14.4V

2、一、二次例电流计算及容量确定

二次电流要根据负载电流的大小和整流电路来定，在图1中采用三相桥式整流电路，用式I2=(2/3)?Id求出3个二次电流有效值分别为：3.26A、6.5A、1.63A，就得到3个二次电压和电流。根据变压器一、二次功率近似相等原则，可求得一次电流I1=1.45A，变压器的容量为S=953VA，按1.5kVA选变压器型号。

3、一、二次例绕组联结方式的确定

三相交压器绕组可以根据需要接成星形或Δ形。三相整流电路一般用于大功率(即负载功率在4kW以上)整流，变压器通常接成Y/Δ、　Δ/Y 2种。Δ/Y接法可使电源线电流有2个阶梯，更接近正弦波，谐波影响小，可控整流电路用得比较多;Y/Δ接法可以提供单相交流电源，减小二次绕组电流，一般用于大功率二极管整流电路;对于小功率三相变压器有时也接成Y/Y型，虽然这种接法会给电网引入谐波.但毕竟其功率小，影响也较小。总之，光伏组件通电连续性测试系统，选的时候既要考虑对电网的影响，又要尽量减小绕组电流，降低绕组绝缘等级。在图1中，7V和12V电流比较小，电压低，选星形接法;110V电流大，电压不是太高，选Δ形接法，可大大降低绕组中电流，减小绕组线径，延长使用寿命;一次绕组的线电压虽然高(380V)，但变压器容量只有2kW，一次电流为1.45A，所以选星形接法，可降低绕组的电压和绕组的绝缘等。

直流稳压电源

数字直流稳压稳流电源内部采用IGBT模块调整模式，具体高效能、高精度、高稳定性等特性，主要应用于科研单位、实验室和电子产线等需要高效电源测试时使用。

用途

直流稳压电源引可广泛应用于*、科研、大专院校、实验室、工矿企业、电解、电镀、直流电机、充电设备等。

（1)可用于各种电子设备老化，如PCB板老化，家电老化，各类IT产品老化，CCFL老化，灯管老化

　(2)适用于需要自动定时通、断电，自动记周期数的电子元件的老化、测试

　(3)电解电容器脉冲老练　

(4)电阻器，继电器，可编程直流稳压电源，马达等测试老练　

(5)整机老练；电子元器件性能测试，例行试验。

11、定时功能：可选定时开关机功能；（选配）

IGBT工作特性

   动态特性IGBT 在注册进程中，大多数时刻是作为MOSFET 来作业的，只是在漏源电压Uds 下降进程后期， PNP 晶体管由放大区至饱满，又添加了一段推迟时刻。td(on) 为注册推迟时刻，tri 为电流上升时刻。实习运用中常给出的漏较电流注册时刻ton 即为td (on) tri 之和，漏源电压的下降时刻由tfe1 和tfe2 构成。IGBT的触发和关断需要给其栅较和基较之间加上正向电压和负向电压，栅较电压可由不相同的驱动电路发作。当挑选这些驱动电路时，有必要依据以下的参数来进行：器材关断偏置的需要、栅较电荷的需要、耐固性需要和电源的状况。由于IGBT栅较- 发射较阻抗大，故可运用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应当比很多MOSFET驱动电路供给的偏压更高。IGBT在关断进程中，漏较电流的波形变为两段。由于MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以活络消除，构成漏较电流较长的尾部时刻，td(off)为关断推迟时刻，trv为电压Uds(f)的上升时刻。实习运用中常常给出的漏较电流的下降时刻Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段构成，而漏较电流的关断时刻t(off)=td(off)+trv十t(f)式中：td(off)与trv之和又称为存储时刻。IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显**GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来削减关断时刻，但关断时刻随栅较和发射较并联电阻的添加而添加。IGBT的翻开电压约3～4V，和MOSFET适当。IGBT导通时的饱满压降比MOSFET低而和GTR挨近，饱满压降随栅较电压的添加而下降。正式商用的IGBT器材的电压和电流容量还很有限，远远不能满意电力电子运用技术展开的需要；高压领域的很多运用中，需要器材的电压等级抵达10KV以上，当前只能经过IGBT高压串联等技术来结束高压运用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司选用软穿通准则研发出了8KV的IGBT器材，德国的EUPEC出产的6500V/600A高压大功率IGBT器材现已获得实习运用，日本东芝也已进入该领域。与此同时，线性开关直流稳压电源，各大半导体出产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱满压降、高可靠性、低成本技术，首要选用1um以下制作技术，研发开发获得一些新进展。2013年9月12日 我国自立研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双较型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块经过*断定，我国自此有了彻底自立的IGBT“我国芯”。