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如何解决大功率直流电源常见的几种问题

 大功率直流电源的应用很广泛，在应用过程中也会出现很多问题，下面就为大家介绍在大功率直流电源应用过程中常出现的几种问题及解决方法。

    常见的几种问题：

 1.有电压没有电流

 2.有电流没有电压

 3.有电流电压输出，但电压无论怎么调都不上去

     解决方法：

    对于有电压没电流或者有电流没电压这两种情况，应检查电源的负载接触是否良好（如产品的接线是否错误，电压表是否完好，产品的积尘是否过多，接线的焊接处是否有松动等），负载是否被短路或开路，负载是否符合规定。对于有电流、电压但电压调不上去，可能是因为操作者对“恒压”、“恒流”不是很清楚。如果“恒流”的灯亮，就说明电源在恒流状态下工作，这时输出压是由负载决定的，而不是调出来的，只有去调节电流调节旋钮，有了输出电流的改变，输出电压才会改变。

IGBT发展历史

     IGBT发展历史点击：156 次  发布时间:2015-6-18 16:09:42  1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的前驱即已被介绍到人世。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层构成），其特点是通过强碱湿法刻蚀技术构成了V形槽栅。80年代前期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散构成的金属-氧化物-半导体）技术被选用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型计划。后来，通过选用PT（穿通）型结构的办法得到了在参数折衷方面的一个明显改善，这是跟着硅片上外延的技术前进，以及选用对应给定阻断电压所计划的n+缓冲层而展开的[3]。几年傍边，这种在选用PT计划的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其计划规则从5微米抢先到3微米。90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是选用从大规模集成（LSI）技术学习来的硅干法刻蚀技术完结的新刻蚀技术，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，完结了在通态电压和关断时间之间折衷的更主要的改善。

关于IGBT的介绍

 相信做电源行业的前辈们对于电源里面的IGBT模块并不会感到陌生，但是对于刚入电源行业的新手们，估计还是不大了解，所以呢，下面我就要为大家介绍一下IGBT：

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双较型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双较型晶体管复合而成的一种器材，其输入较为MOSFET，输出较为PNP晶体管，它交融了这两种器材的长处，既具有MOSFET器材驱动功率小和开关速度快的长处，可编程直流稳压电源，又具有双较型器材饱和压下降而容量大的长处，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常作业于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的使用，直流稳压电源，在较高频率的大、中功率使用中占有了主导地位。

     若在IGBT的栅较和发射较之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，开关可调节直流稳压电源，这样PNP晶体管的集电极与基较之间成低阻状况而使得晶体管导通；若IGBT的栅较和发射较之间电压为0V，则MOS 截止，堵截PNP晶体管基较电流的供应，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET相同也是电压操控型器材，在它的栅较—发射较间施加十几V的直流电压，只要在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。