电源_万瑞达电气_江苏直流稳压开关电源

直流稳压电源

整流电路设计三相整流电路通常有三相半波整流电路和三相桥式整流电路，由于三相桥式整流电路输出平均电压高，电压脉动小，品质因数高，因此多使用桥式整流电路。桥臂上二极管型号的选择主要是由它的额定电压和额定电流决定，额定电流和电压则由负载平均电流和电压决定，其计算式为：ID=(1/3)?·Id，ID(AV)= ID /1.57，UDn=(1～2) 2?·U2，由ID(AV)和UDn查二极管手册就可确定整流管的型号。

滤波稳压电路设计

1、滤波电路及器件选择

整流滤波电路通常有电容、电感和RC等滤波电路。电感滤波是利用电感对脉动电流反电动势，阻碍电流变化来实现的，电感越大，滤波效果越好。它一般用于负载电流大、对滤波要求不高的场台。RC滤波电路是电阻和电容连接使用的滤波电路，由于电阻会降低一部分直流电压，直流输出电压会减小，因此只适用于小电流电路。电容滤波是利用电容的充放电作用使整流输出电压变得平稳，而且电压幅值升高，滤波效果好，适于各种整流电路。滤波电容的选择主要是种类和容量、耐压值的确定。常用的整流滤波电容有铝电解、钽电解、涤纶、*石电容等。铝电解电容漏电流大，电源，耐压和工作温度高+70℃)较低，但容量大;钽电解电容漏电流小，耐压和工作温度比铝电解电容都高，一般用于要求较高的地方;涤纶电容绝缘电阻大，损耗小，工作温度(高+55℃)低，容量小，但耐压高;*石电容体积可以做得很小，耐压也可以做得很高，化学性能和热性能比较稳定，但容量小。一般当整流输出电流大时，必须用电解电容滤波稳压;输出电流小时，用一般电容或电解电容滤波都可以，如果对直流输出电压有纹波系数要求或者为了防止高频噪音，用电解电容和小容量无极性电容并联使用效果较好：小容量电容可滤掉脉动直流中的高次谐波，　电解电容滤掉大幅值的低频成分，稳压范围宽、效果好。整流滤波电路对电容器的容量和耐压值要求不是太高，一般根据输出电流大小估算电容器的容量，输出电流大，容量就大;电流小，容量就小。但是，容量太大会降低输出电压值，太小则会导致电压脉动大、不稳定。容量确定可参考表1，耐压值一般取所接电路工作电压的1.5～2倍。

2、稳压电路及器件选择

稳压电路有分立元件稳压电路和集成稳压电路2种，其中集成稳压电路主要用于低电压小电流的整流电路，可调节直流稳压电源，具有体积小，电路简单，稳压精度高，使用调试方便等特点。选择时首先要确定系列，是正电源还是负电源，是可调的还是固定的，其次是根据它的额定电压和额定电流选择具体型号;同时，稳压器在接入整流电路时要适当加一些保护元件，如在I/O端接二极管可防止输入端短路，在输入端和地之间接一小电容，可限制输入电压幅值等。

直流电源的设计理论上比较简单，但在具体的工程设计中还需要进一步分析、研究、实践和总结。

可调直流电源之部分零件介绍

可调直流电源的变压器是利用互感原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心（磁芯）。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，安全隔离等。变压器是变换电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流）。它由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。T降压后，得到24V交流电；再经VD1～VD4组成的全桥整流、C1滤波，得到33V左右的直流电压。该电压经集成电路LM317后获得稳压输出。调节电位器

电位器

可调直流电源的电位器是一种可调的电子元件。用于分压的可变电阻器。在外露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。按材料分线绕、炭膜、实芯式电位器；按输出与输入电压比与旋转角度的关系分直线式电位器(呈线性关系)、函数电位器(呈曲线关系)。主要参数为阻值、容差、额定功率。广泛用于电子设备，在音响和接收机中作音量控制用。以消除寄生振荡，C3的作用是抑制波纹，C4用以改善稳压电源的暂态响应。VD5、VD6在当输出端电容

电容

直流稳压电源的电容（或电容量）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，江苏变频电源，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，较常见的例子就是两片平行金属板。

IGBT原理

     IGBT硅片的构造与功率MOSFET 的构造十分类似，首要区别是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技能没有增加这个有些)。如等效电路图所示(图1)，其间一个MOSFET驱动两个双较器材。基片的运用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅较下面反演P基区时，一个N沟道构成，一同呈现一个电子流，高精密线性直流电源，并彻底依照功率 MOSFET的办法发作一股电流。假定这个电子流发作的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴写入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种办法下降了功率导通的总损耗，并启动了*二个电荷流。毕竟的结果是，在半导体层次内暂时呈现两种不一样的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双较)。