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全桥式变压器开关电源的设计

懂电源的朋友对全桥式变压器开关电源并不陌生，它的工作原理与推挽式变压器开关电源以及半桥式变压器开关电源的工作原理是很相似的，本文小编整理了全桥式变压器开关电源的工作原理及计算方法与大家分享。

　　全桥式开关电源变压器参数的计算 　　

全桥式变压器开关电源的工作原理与推挽式变压器开关电源的工作原理是非常接近的，高频直流稳压稳流电源，只是变压器的激励方式与工作电源的接入方式有点不同;因此，用于计算推挽式变压器开关电源变压器初级线圈N1绕组匝数的数学表达式，同样可以用于全桥式变压器开关电源变压器初级线圈N1绕组匝数的计算。 　　　

式中，大功率开关电源，N1为变压器初级线圈N1绕组的较少匝数，S为变压器铁心的导磁面积(单位：平方厘米)，Bm为变压器铁心的较大磁感应强度(单位：高斯);Ui为开关电源的工作电压，即加到变压器初级线圈N1绕组两端的电压，单位为伏;τ=Ton，为控制开关的接通时间，简称脉冲宽度，或电源开关管导通时间的宽度(单位：秒);F为工作频率，单位为赫芝，一般双激式开关电源变压器工作于正、反激输出的情况下，其伏秒容量必须相等，因此，可以直接用工作频率来计算变压器初级线圈N1绕组的匝数;F和τ取值要预留20%左右的余量。式中的指数是统一单位用的，选用不同单位，指数的值也不一样，这里选用CGS单位制，即：长度为厘米(cm)，电源，磁感应强度为高斯(Gs)，磁通单位为麦克斯韦(Mx)。

IGBT原理

     IGBT是将强电流、高压运用和快速终端设备用笔直功率MOSFET的**进化。因为结束一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而构成功率MOSFET具有数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些首要缺点。尽管新一代功率MOSFET 器材大幅度改进了特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技能高出许多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的才华，高精密线性直流电源，以及IGBT的构造，同一个标准双较器材比照，可支撑更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

关于电流较大的恒流源采样电阻

采样电阻首要有两种办法，一个是规范分流器，另一个是规范电阻，正本都是差不多的东西，都是小阻值、大功率精密电阻。

    咱们知道，电阻的功率与电阻成正比，与电流的平方成正比。电流一大，功率活络添加，而规范电阻都很怕热的，这就仇视起来，构成要么很大个头的规范电阻但电流并不大，或则等级对比差。解决问题的办法，就是选用特别材料和技能，尽量削减电阻的功率系数。

所谓功率系数，有时也叫负载系数，就是有了功率负载后，电阻改动状况，通常以每瓦ppm来标明。这个与温度系数还不完全一样，温度系数首要是外界温度改动但电阻中的功率不大时的电阻改动，而功率系数是自身产热而构成的电阻改动，此刻可能有负载不均、有些过热的表象发生。