高频逆变有些采用以IGBT为功率开关器材的全桥拓扑结构,全部大功率开关电源电路如图所示,包含:工频三相交流电输入、二极管整流桥、EMI 滤波器、滤波电感电容、高频全桥逆变器、高频变压器、输出整流环节、输出LC 滤波器等。隔直电容Cb 是用来平衡变压器伏秒值,避免偏磁的。考虑到功率的疑问,谐振电感LS 只利用了变压器自身的漏感。由于假如该电感太大,将会致使过高的关断电压尖峰,这对开关管较为不利,一起也会增大关断损耗。另一方面,还会形成严峻的占空比丢掉,导致开关器材的电流峰值增高,使得体系的功能下降.
IGBT工作特性
静态特性IGBT 的静态特性首要有伏安特性、搬运特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏较电流与栅较电压之间的联络曲线。输出漏较电流比受栅源电压Ugs 的操控,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱满区1 、放大区2 和击穿特性3 有些。在截止状况下的IGBT ,正向电压由J2 结承当,电源,反向电压由J1结承当。如果无N+缓冲击,高频直流稳压稳流电源,则正反向阻断电压可以做到相同水平,参加N+缓冲区后,反向关断电压只能抵达几十伏水平,因而捆绑了IGBT 的某些运用计划。IGBT 的搬运特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的联络曲线。它与MOSFET 的搬运特性相同,当栅源电压小于翻开电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状况。在IGBT 导通后的大多数漏较电流计划内,江苏变频电源, Id 与Ugs呈线性联络。高栅源电压受较大漏较电流捆绑,其有效值一般取为15V支配。IGBT 的开关特性是指漏较电流与漏源电压之间的联络。IGBT 处于导通态时,可编程直流电源,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值较低。虽然等效电路为达林顿构造,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的首要有些。此刻,通态电压Uds(on) 可用下式标明::Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。通态电流Ids 可用下式标明:Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos ——流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只要很小的存在。
直流稳压电源
数字直流稳压稳流电源内部采用IGBT模块调整模式,具体高效能、高精度、高稳定性等特性,主要应用于科研单位、实验室和电子产线等需要高效电源测试时使用。
用途
直流稳压电源引可广泛应用于*、科研、大专院校、实验室、工矿企业、电解、电镀、直流电机、充电设备等。
(1)可用于各种电子设备老化,如PCB板老化,家电老化,各类IT产品老化,CCFL老化,灯管老化
(2)适用于需要自动定时通、断电,自动记周期数的电子元件的老化、测试
(3)电解电容器脉冲老练
(4)电阻器,继电器,马达等测试老练
(5)整机老练;电子元器件性能测试,例行试验。
11、定时功能:可选定时开关机功能;(选配)