万瑞达电气 图 、光伏组件综合测试系统电源、电源

IGBT工作特性

静态特性IGBT 的静态特性首要有伏安特性、搬运特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏较电流与栅较电压之间的联络曲线。输出漏较电流比受栅源电压Ugs 的操控，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱满区1 、放大区2 和击穿特性3 有些。在截止状况下的IGBT ，正向电压由J2 结承当，反向电压由J1结承当。如果无N+缓冲击，则正反向阻拦电压可以做到相同水平，参加N+缓冲区后，反向关断电压只能抵达几十伏水平，因而捆绑了IGBT 的某些运用计划。IGBT 的搬运特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的联络曲线。它与MOSFET 的搬运特性相同，当栅源电压小于翻开电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状况。在IGBT 导通后的大多数漏较电流计划内， Id 与Ugs呈线性联络。高栅源电压受较大漏较电流捆绑，其有效值一般取为15V支配。IGBT 的开关特性是指漏较电流与漏源电压之间的联络。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值较低。虽然等效电路为达林顿构造，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的首要有些。此刻，通态电压Uds(on) 可用下式标明：：Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。通态电流Ids 可用下式标明：Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos ——流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只要很小的存在。

直流开关电源的维护　

依据直流开关电源的特色和实践的电气情况，为使直流开关电源在恶劣环境及突发毛病情况下安全牢靠地作业，这篇文章依据不同的情况规划了多种维护电路。

1过电流维护电路在直流开关电源电路中，为了维护调整管在电路短路、电流增大时不被焚毁。其根本方法是，当输出电流追赶某一值时，调整管处于反向偏置状况，然后截止，主动堵截电路电流。如图2所示，光伏组件综合测试系统电源，过电流维护电路由三极管BG2和分压电阻R4、R5构成。电路正常作业时，经过R4与R5的分压效果，使得BG2的基较电位比发射较电位低，发射结接受反向电压。所以BG2处于截止状况(相当于开路)，对稳压电路没有影响。当电路短路时，输出电压为零，BG2的发射较相当于接地，则BG2处于饱和导通状况(相当于短路)，然后使调整管BG1基较和发射较近于短路，24V直流可调节电源，而处于截止状况，堵截电路电流，然后到达维护意图。

2过电压维护电路直流开关电源中开关稳压器的过电压维护包含输入过电压维护和输出过电压维护。假如开关稳压器所运用的未稳压直流电源(诸如蓄电池和整流器)的电压假如过高，将致使开关稳压器不能正常作业，乃至损坏内部器材，因而开关电源中有必要运用输入过电压维护电路。图3为用晶体管和继电器所构成的维护电路，在该电路中，当输入直流电源的电压**稳压二极管的击穿电压值时，电源，稳压管击穿，有电流流过电阻R，使晶体管T导通，继电器动作，常闭接点断开，堵截输入。输入电源的极性维护电路能够跟输入过电压维护结合在一起，构成极性维护辨别与过电压维护电路。

3软启动维护电路开关稳压电源的电路比较复杂，开关稳压器的输入端通常接有小电感、大电容的输入滤波器。在开机刹那间，滤波电容器会流过很大的浪涌电流，这个浪涌电流能够为正常输入电流的数倍。这样大的浪涌电流会使一般电源开关的触点或继电器的触点熔化，并使输入保险丝熔断。别的，浪涌电流也会危害电容器，使之寿数缩短，过早损坏。为此，开机时应当接入一个限流电阻，经过这个限流电阻来对电容器充电。为了不使该限流电阻耗费过多的功率，致使影响开关稳压器的正常作业，而在开机暂态过程结束后，用一个继电器主动短接它，使直流电源直接对开关稳压器供电，这种电路称之谓直流开关电源的“软启动”电路。

IGBT原理

     IGBT是将强电流、高压运用和快速终端设备用笔直功率MOSFET的**进化。因为结束一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而构成功率MOSFET具有数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些首要缺点。尽管新一代功率MOSFET 器材大幅度改进了特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技能高出许多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的才华，可编程直流稳压电源，以及IGBT的构造，同一个标准双较器材比照，可支撑更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。