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逆变电源是一种较为多见的电流变换电源，它能够将普通的直流电变换为所需的交流电。在逆变电源的H桥傍边，有时需要将电路中的MOS管替换为IGBT。但在替换以后的开机带载很有可能发作炸机。

　　想要避免这种状况，能够从峰值电流维护入手，做好驱动和维护就能确保IGBT不会爆破，这篇文章讲了逆变H桥IGBT单管驱动维护的办法，期望能对我们有所协助。

　　被大家熟知的逆变电源H桥电路，也可称为逆变电源的后级。本规划中需要加上IGBT，相同电流容量的IGBT单管，比相同电流容量的MOSFET要软弱，也就是说，在逆变H桥里相同的电流容量下，MOSFET的承受能力要比IGBT高。

　　或许有的朋友会以为一个IRFP460，20A/500V的MOSFET，再加上SGH40N60UFD 40A/600V的IGBT应当足以避免爆破的发作，但实际状况却是，带载以后俄然加负载和吊销负载，以后就炸机了。

　　经过不断的实践后，本来只需遵从特定的规律，完**够避免炸机的发作。就是选用峰值电流维护的办法就能让IGBT不会炸。

全桥式变压器开关电源的设计

懂电源的朋友对全桥式变压器开关电源并不陌生，它的工作原理与推挽式变压器开关电源以及半桥式变压器开关电源的工作原理是很相似的，本文小编整理了全桥式变压器开关电源的工作原理及计算方法与大家分享。

　　全桥式开关电源变压器参数的计算 　　

全桥式变压器开关电源的工作原理与推挽式变压器开关电源的工作原理是非常接近的，只是变压器的激励方式与工作电源的接入方式有点不同;因此，用于计算推挽式变压器开关电源变压器初级线圈N1绕组匝数的数学表达式，同样可以用于全桥式变压器开关电源变压器初级线圈N1绕组匝数的计算。 　　　

式中，N1为变压器初级线圈N1绕组的较少匝数，S为变压器铁心的导磁面积(单位：平方厘米)，Bm为变压器铁心的较大磁感应强度(单位：高斯);Ui为开关电源的工作电压，大功率电源20V2000A价格，即加到变压器初级线圈N1绕组两端的电压，单位为伏;τ=Ton，为控制开关的接通时间，简称脉冲宽度，大功率电源1000V30A价格，或电源开关管导通时间的宽度(单位：秒);F为工作频率，单位为赫芝，一般双激式开关电源变压器工作于正、反激输出的情况下，其伏秒容量必须相等，大功率电源600V10A价格，因此，可以直接用工作频率来计算变压器初级线圈N1绕组的匝数;F和τ取值要预留20%左右的余量。式中的指数是统一单位用的，选用不同单位，指数的值也不一样，电源，这里选用CGS单位制，即：长度为厘米(cm)，磁感应强度为高斯(Gs)，磁通单位为麦克斯韦(Mx)。